MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVHL040N65S3F, VDSS 650 V, ID 65 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
186-1516
Nº ref. fabric.:
NVHL040N65S3F
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

65A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

446W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

153nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

15.87mm

Anchura

4.82 mm

Altura

20.82mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: No cumple

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power systems for miniaturization and higher efficiency. SUPERFET III FRFET MOSFET’s optimized reverse recovery performance of body diode can remove additional component and improve system reliability

700 V @ TJ = 150°C

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 158 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 1366 pF)

PPAP Capable

Typ. RDS(on) = 32 mΩ

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

PPAP Capable

Applications

HV DC/DC converter

End Products

On Board Charger

DC/DC Converter

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