MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMTS001N06CLTXG, VDSS 60 V, ID 398.2 A, Mejora, DFN de 8 pines
- Código RS:
- 186-1322
- Nº ref. fabric.:
- NTMTS001N06CLTXG
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 2 unidades)*
7,02 €
(exc. IVA)
8,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 658 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,51 € | 7,02 € |
| 20 - 198 | 3,025 € | 6,05 € |
| 200 - 998 | 2,62 € | 5,24 € |
| 1000 - 1998 | 2,305 € | 4,61 € |
| 2000 + | 2,10 € | 4,20 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 186-1322
- Nº ref. fabric.:
- NTMTS001N06CLTXG
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 398.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Serie | NTMTS001N06CL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.05mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 165nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 398.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado DFN | ||
Serie NTMTS001N06CL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.05mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 165nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 8.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No cumple
Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
Power 88 Package, Industry Standard
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, DFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, DFN de 6 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, DFN de 5 pines