MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 67 A, Mejora, DFN de 5 pines

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Código RS:
185-8153
Nº ref. fabric.:
NVMFS5H663NLT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

67A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

NVMFS5H663NL

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

63W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

5.1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.1 mm

Altura

1.05mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: No cumple

COO (País de Origen):
MY
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

PPAP Capable

These Devices are Pb−Free

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