- Código RS:
- 178-4251
- Nº ref. fabric.:
- FDMS4D0N12C
- Fabricante:
- onsemi
2990 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
2,031 €
(exc. IVA)
2,458 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
---|---|---|
3000 + | 2,031 € | 6.093,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 178-4251
- Nº ref. fabric.:
- FDMS4D0N12C
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- PH
Datos del Producto
Este MOSFET MV de canal N se fabrica mediante un proceso PowerTrench® avanzado que incorpora la tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de conexión a la vez que se conserva un rendimiento de conmutación superior con el mejor diodo de cuerpo suave de su categoría.
Tecnología MOSFET de puerta apantallada
RDS(on) máx. = 4,0 mΩ con VGS = 10 V, ID = 67 A
RDS(on) máx. = 8,0 mΩ con VGS = 6 V, ID = 33 A
Qrr un 50 % inferior que otros proveedores de MOSFET
Reduce el ruido de conmutación/EMI
Diseño con encapsulado robusto MSL1
Aplicaciones:
Este producto es de uso general y es adecuados para diversas aplicaciones.
Productos finales:
Fuentes de alimentación ac-dc y dc-dc
RDS(on) máx. = 4,0 mΩ con VGS = 10 V, ID = 67 A
RDS(on) máx. = 8,0 mΩ con VGS = 6 V, ID = 33 A
Qrr un 50 % inferior que otros proveedores de MOSFET
Reduce el ruido de conmutación/EMI
Diseño con encapsulado robusto MSL1
Aplicaciones:
Este producto es de uso general y es adecuados para diversas aplicaciones.
Productos finales:
Fuentes de alimentación ac-dc y dc-dc
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 67 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 120 V |
Tipo de Encapsulado | PQFN 5 x 6 |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 8 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 4 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
Disipación de Potencia Máxima | 106 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V |
Longitud | 5mm |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 36 nC a 6 V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Ancho | 6mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Tensión de diodo directa | 1.3V |
Altura | 1.05mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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