MOSFET onsemi FDMS4D0N12C, VDSS 120 V, ID 67 A, PQFN 5 x 6 de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 178-4409
Nº ref. fabric.:: FDMS4D0N12C
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDMS4D0N12C, VDSS 120 V, ID 67 A, PQFN 5 x 6 de 8 pines, , config. Simple

2990 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

3,596 €

(exc. IVA)

4,351 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 90	3,596 €	35,96 €
100 - 490	3,043 €	30,43 €
500 - 990	2,711 €	27,11 €
1000 - 2990	2,363 €	23,63 €
3000 +	2,269 €	22,69 €

*precio indicativo

Código RS:: 178-4409
Nº ref. fabric.:: FDMS4D0N12C
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: PH

Datos del Producto

Este MOSFET MV de canal N se fabrica mediante un proceso PowerTrench® avanzado que incorpora la tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de conexión a la vez que se conserva un rendimiento de conmutación superior con el mejor diodo de cuerpo suave de su categoría.

Tecnología MOSFET de puerta apantallada
RDS(on) máx. = 4,0 mΩ con VGS = 10 V, ID = 67 A
RDS(on) máx. = 8,0 mΩ con VGS = 6 V, ID = 33 A
Qrr un 50 % inferior que otros proveedores de MOSFET
Reduce el ruido de conmutación/EMI
Diseño con encapsulado robusto MSL1

Aplicaciones:
Este producto es de uso general y es adecuados para diversas aplicaciones.
Productos finales:
Fuentes de alimentación ac-dc y dc-dc

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	67 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	120 V
Tipo de Encapsulado	PQFN 5 x 6
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	4 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	106 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±20 V
Ancho	6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	36 nC a 6 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	1.05mm
Tensión de diodo directa	1.3V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET onsemi FDMS4D0N12C, VDSS 120 V, ID 67 A, PQFN 5 x 6 de 8 pines, , config. Simple

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