MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDMS4D0N12C, VDSS 120 V, ID 67 A, Mejora, PQFN de 8 pines

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Código RS:
178-4409
Nº ref. fabric.:
FDMS4D0N12C
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

67A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

120V

Serie

FDMS

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

106W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Altura

1.05mm

Anchura

6 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
Este MOSFET MV de canal N se fabrica mediante un proceso PowerTrench® avanzado que incorpora la tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de conexión a la vez que se conserva un rendimiento de conmutación superior con el mejor diodo de cuerpo suave de su categoría.

Tecnología MOSFET de puerta apantallada

RDS(on) máx. = 4,0 mΩ con VGS = 10 V, ID = 67 A

RDS(on) máx. = 8,0 mΩ con VGS = 6 V, ID = 33 A

Qrr un 50 % inferior que otros proveedores de MOSFET

Reduce el ruido de conmutación/EMI

Diseño con encapsulado robusto MSL1

Aplicaciones:

Este producto es de uso general y es adecuados para diversas aplicaciones.

Productos finales:

Fuentes de alimentación ac-dc y dc-dc

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