Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDMS4D0N12C, VDSS 120 V, ID 67 A, Mejora, PQFN de 8 pines

Código RS:: 178-4409
Nº ref. fabric.:: FDMS4D0N12C
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDMS4D0N12C, VDSS 120 V, ID 67 A, Mejora, PQFN de 8 pines

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Producto Alternativo

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MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 120 V, ID 67 A, Mejora, PQFN de 8 pines

Código RS: 178-4251

unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

4.611,00 €

(exc. IVA)

5.579,31 €

(inc.IVA)

Código RS:: 178-4409
Nº ref. fabric.:: FDMS4D0N12C
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	67A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	120V
	Encapsulado	PQFN
	Serie	FDMS
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	4mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	106W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	36nC
	Tensión directa Vf	1.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	5mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.05mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 67A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 120V
	Encapsulado PQFN
	Serie FDMS
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 106W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC
	Tensión directa Vf 1.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 5mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.05mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: PH

Este MOSFET MV de canal N se fabrica mediante un proceso PowerTrench® avanzado que incorpora la tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de conexión a la vez que se conserva un rendimiento de conmutación superior con el mejor diodo de cuerpo suave de su categoría.

Tecnología MOSFET de puerta apantallada

RDS(on) máx. = 4,0 mΩ con VGS = 10 V, ID = 67 A

RDS(on) máx. = 8,0 mΩ con VGS = 6 V, ID = 33 A

Qrr un 50 % inferior que otros proveedores de MOSFET

Reduce el ruido de conmutación/EMI

Diseño con encapsulado robusto MSL1

Aplicaciones:

Este producto es de uso general y es adecuados para diversas aplicaciones.

Productos finales:

Fuentes de alimentación ac-dc y dc-dc

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