MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 103 A, Mejora, PQFN de 8 pines

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Código RS:
202-5726
Nº ref. fabric.:
NTTFS3D7N06HLTWG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

103A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

NTTF

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

32.7nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.4mm

Altura

3.4mm

Anchura

0.8 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N único DE on Semiconductor funciona con 40 voltios y 150 amperios. Se puede utilizar en convertidores reductores dc-dc, punto de carga, interruptor de carga de alta eficiencia y conmutación de lado bajo, FET de ORing.

Sin plomo

Libre de halógenos

En conformidad con RoHS

Rango de temperaturas de funcionamiento de –55 a +150 °C y de almacenamiento

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