MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 235 A, Mejora, PQFN de 8 pines

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Código RS:
195-8746
Nº ref. fabric.:
NTMFSC1D6N06CL
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

235A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

NTMFS

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

91nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

166W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

5 mm

Altura

0.95mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6mm

Estándar de automoción

No

Este MOSFET de canal N se fabrica mediante el proceso Advanced Power Trench® DE ON Semiconductor. Se han combinado los avances en las tecnologías de encapsulado de silicio y Dual Cool™ para ofrecer el RDS(on) más bajo al tiempo que se mantiene un excelente rendimiento de conmutación gracias a la resistencia térmica extremadamente baja de conexión a ambiente.

Parte Top y parte inferior expuestas en configuración de pines 5x6mm estándar

Disipación térmica mejorada a través de Top y Bottom Side del encapsulado

RDS(on) ultrabajo

Pérdida de conducción reducida

Capacitancias reducidas e inductancia de encapsulado

Pérdida de conmutación reducida

Aplicaciones

Rectificador síncrono en fuentes de alimentación ac-dc y dc-dc

Interruptor Del Motor

Interruptor de carga

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