MOSFET, N-Canal onsemi NTMFSC1D6N06CL, VDSS 60 V, ID 235 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 195-8747
- Nº ref. fabric.:
- NTMFSC1D6N06CL
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 195-8747
- Nº ref. fabric.:
- NTMFSC1D6N06CL
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 235A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | NTMFS | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 166W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 91nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6mm | |
| Altura | 950μm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 235A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie NTMFS | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 166W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 91nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6mm | ||
Altura 950μm | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET de canal N se fabrica mediante el proceso Advanced Power Trench® DE ON Semiconductor. Se han combinado los avances en las tecnologías de encapsulado de silicio y Dual Cool™ para ofrecer el RDS(on) más bajo al tiempo que se mantiene un excelente rendimiento de conmutación gracias a la resistencia térmica extremadamente baja de conexión a ambiente.
Parte Top y parte inferior expuestas en configuración de pines 5x6mm estándar
Disipación térmica mejorada a través de Top y Bottom Side del encapsulado
RDS(on) ultrabajo
Pérdida de conducción reducida
Capacitancias reducidas e inductancia de encapsulado
Pérdida de conmutación reducida
Aplicaciones
Rectificador síncrono en fuentes de alimentación ac-dc y dc-dc
Interruptor Del Motor
Interruptor de carga
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