MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NCP303160AMNTWG, VDSS 30 V, ID 60 A, Mejora, PQFN-39 de 39 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
333-409
Nº ref. fabric.:
NCP303160AMNTWG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PQFN-39

Serie

NCP303160A

Número de pines

39

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

13.5W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión directa Vf

350mV

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Anchura

6 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
TH
El controlador integrado y MOSFET con monitor de corriente integrado de ON Semiconductor integra un controlador MOSFET, un MOSFET de lado alto y un MOSFET de lado bajo en un solo paquete. El controlador y los MOSFET se han optimizado para aplicaciones de conversión de potencia CC-CC buck de alta corriente. La solución integrada reduce en gran medida los parásitos del paquete y el espacio de la placa en comparación con una solución de componentes discreta.

Control preciso de la corriente

Diodo de arranque interno

Paquete PQFN39

Sin Pb

Conforme a RoHS

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