MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 224 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 195-2674
- Nº ref. fabric.:
- NVMFSC1D6N06CL
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 195-2674
- Nº ref. fabric.:
- NVMFSC1D6N06CL
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 224A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 166W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 91nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.95mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.9mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 224A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 166W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 91nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.95mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.9mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flanco sumergible disponible para inspección óptica mejorada. MOSFET y capacidad PPAP ideal para aplicaciones de automoción.
Tamaño pequeño (5x6 mm)
Diseño compacto
Baja RDS(on)
Minimiza las pérdidas de conducción
Baja QG y capacitancia
Minimiza las pérdidas de controlador
Capacidad PPAP
Aplicación
Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).
Protección de batería inversa
Fuentes de alimentación de conmutación
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 25 V Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PQFN de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 120 V Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PQFN de 8 pines
