MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 116 A, Mejora, PQFN de 8 pines

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Código RS:
195-2498
Nº ref. fabric.:
FDMS4D5N08LC
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

116A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

PQFN

Serie

FDMS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

51nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

113.6W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

5 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5.85mm

Altura

1.05mm

Estándar de automoción

No

Este MOSFET MV de canal N se fabrica mediante un proceso PowerTrench® avanzado de ON Semiconductor que incorpora la tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de conexión a la vez que se conserva un rendimiento de conmutación superior con el mejor diodo de cuerpo suave de su categoría.

Tecnología MOSFET de puerta apantallada

RDS(on) máx. = 4,0 mΩ con VGS = 10 V, ID = 37 A

RDS(on) máx. = 11,1 mΩ con VGS = 4,5 V, ID = 29 A

Qrr un 50 % inferior que otros proveedores de MOSFET

Reduce el ruido de conmutación/EMI

Capacidad De Accionamiento De Nivel Lógico

Aplicación

Este producto es de uso general y es adecuados para diversas aplicaciones.

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