MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 22 A, Mejora, PQFN de 8 pines

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Código RS:
178-4249
Nº ref. fabric.:
FDMC007N08LCDC
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

22A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

FDMC

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

31nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

57W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

3.4 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.75mm

Longitud

3.4mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
Este MOSFET MV de canal N se fabrica mediante un proceso PowerTrench® avanzado de Fairchild Semiconductor que incorpora la tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de conexión a la vez que se conserva el diodo de cuerpo suave

Tecnología MOSFET de puerta apantallada

RDS(on) máx. = 6,8 mΩ con VGS = 10 V, ID = 21 A

RDS(on) máx. = 11,1 mΩ con VGS = 4,5 V, ID = 17 A

Capacidad de accionamiento de 5 V

Qrr un 50 % inferior que otros proveedores de MOSFET

Reduce el ruido de conmutación/EMI

Diseño con encapsulado robusto MSL1

Encapsulado con capacidad para refrigeración doble

Aplicaciones

MOSFET dc-dc principal

Rectificador síncrono en dc-dc y ac-dc

Actuador de motor

Cargador

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