MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDMC007N08LCDC, VDSS 80 V, ID 22 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 178-4558
- Nº ref. fabric.:
- FDMC007N08LCDC
- Fabricante:
- onsemi
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- 178-4558
- Nº ref. fabric.:
- FDMC007N08LCDC
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 22A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | FDMC | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 57W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 31nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.75mm | |
| Anchura | 3.4 mm | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 22A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie FDMC | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 57W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 31nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.75mm | ||
Anchura 3.4 mm | ||
Longitud 3.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- PH
Este MOSFET MV de canal N se fabrica mediante un proceso PowerTrench® avanzado de Fairchild Semiconductor que incorpora la tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de conexión a la vez que se conserva el diodo de cuerpo suave
Tecnología MOSFET de puerta apantallada
RDS(on) máx. = 6,8 mΩ con VGS = 10 V, ID = 21 A
RDS(on) máx. = 11,1 mΩ con VGS = 4,5 V, ID = 17 A
Capacidad de accionamiento de 5 V
Qrr un 50 % inferior que otros proveedores de MOSFET
Reduce el ruido de conmutación/EMI
Diseño con encapsulado robusto MSL1
Encapsulado con capacidad para refrigeración doble
Aplicaciones
MOSFET dc-dc principal
Rectificador síncrono en dc-dc y ac-dc
Actuador de motor
Cargador
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