Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDMC007N08LCDC, VDSS 80 V, ID 22 A, Mejora, PQFN de 8 pines

Código RS:: 178-4558
Nº ref. fabric.:: FDMC007N08LCDC
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDMC007N08LCDC, VDSS 80 V, ID 22 A, Mejora, PQFN de 8 pines

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Código RS:: 178-4558
Nº ref. fabric.:: FDMC007N08LCDC
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	22A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	80V
	Serie	FDMC
	Encapsulado	PQFN
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	6.8mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	31nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	57W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	0.75mm
	Anchura	3.4 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	3.4mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 22A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V
	Serie FDMC
	Encapsulado PQFN
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.8mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 31nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 57W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 0.75mm
	Anchura 3.4 mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 3.4mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: PH

Este MOSFET MV de canal N se fabrica mediante un proceso PowerTrench® avanzado de Fairchild Semiconductor que incorpora la tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de conexión a la vez que se conserva el diodo de cuerpo suave

Tecnología MOSFET de puerta apantallada

RDS(on) máx. = 6,8 mΩ con VGS = 10 V, ID = 21 A

RDS(on) máx. = 11,1 mΩ con VGS = 4,5 V, ID = 17 A

Capacidad de accionamiento de 5 V

Qrr un 50 % inferior que otros proveedores de MOSFET

Reduce el ruido de conmutación/EMI

Diseño con encapsulado robusto MSL1

Encapsulado con capacidad para refrigeración doble

Aplicaciones

MOSFET dc-dc principal

Rectificador síncrono en dc-dc y ac-dc

Actuador de motor

Cargador

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDMC007N08LCDC, VDSS 80 V, ID 22 A, Mejora, PQFN de 8 pines

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