MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 32 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 205-2424
- Nº ref. fabric.:
- NTMFS006N08MC
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 205-2424
- Nº ref. fabric.:
- NTMFS006N08MC
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 32A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | NTMFS006N08MC | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 78W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.1 mm | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 32A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie NTMFS006N08MC | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 78W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.1 mm | ||
Longitud 6.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET MV de canal N 150V Power Trench de ON Semiconductor se fabrica mediante un proceso Advanced que incorpora tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de conexión a la vez que se conserva un rendimiento de conmutación superior con el mejor diodo de cuerpo suave de su categoría.
RDS(on) máx. = 11,5 Mohm en VGS: 10V, ID: 35A
Baja pérdida de conducción
El RDS(on) máx. Es de 13,2 Mohm en VGS es de 8V, el ID es de 18A
Qrr un 50% menor que otros proveedores de mosfet
Reduce el ruido de conmutación/EMI
Diseño con encapsulado robusto MSL1
100% sometido a pruebas UIL
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