MOSFET onsemi FDMS4D5N08LC, VDSS 80 V, ID 116 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple

Este MOSFET MV de canal N se fabrica mediante un proceso PowerTrench® avanzado de ON Semiconductor que incorpora la tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de conexión a la vez que se conserva un rendimiento de conmutación superior con el mejor diodo de cuerpo suave de su categoría.

Tecnología MOSFET de puerta apantallada
RDS(on) máx. = 4,0 mΩ con VGS = 10 V, ID = 37 A
RDS(on) máx. = 11,1 mΩ con VGS = 4,5 V, ID = 29 A
Qrr un 50 % inferior que otros proveedores de MOSFET
Reduce el ruido de conmutación/EMI
Capacidad De Accionamiento De Nivel Lógico
Aplicación
Este producto es de uso general y es adecuados para diversas aplicaciones.