MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTTFS3D7N06HLTWG, VDSS 60 V, ID 103 A, Mejora, PQFN de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 paquete de 25 unidades)*

29,70 €

(exc. IVA)

35,925 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Últimas existencias de RS
  • Última(s) 6000 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
25 +1,188 €29,70 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
202-5727
Nº ref. fabric.:
NTTFS3D7N06HLTWG
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

103A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PQFN

Serie

NTTF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

32.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

3.4mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

0.8 mm

Longitud

3.4mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N único DE on Semiconductor funciona con 40 voltios y 150 amperios. Se puede utilizar en convertidores reductores dc-dc, punto de carga, interruptor de carga de alta eficiencia y conmutación de lado bajo, FET de ORing.

Sin plomo

Libre de halógenos

En conformidad con RoHS

Rango de temperaturas de funcionamiento de –55 a +150 °C y de almacenamiento

Enlaces relacionados