MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 376 A, Mejora, PQFN de 8 pines

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Código RS:
189-0261
Nº ref. fabric.:
NTMTS001N06CTXG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

376A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PQFN

Serie

NTMTS001N06C

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

910μΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

113nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

244W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.15mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

8 mm

Longitud

8.1mm

Estándar de automoción

No

Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto

Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción

Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador

Estos dispositivos no contienen plomo, sin BFR/libre de halógenos

Aplicaciones típicas

Power Tools, Battery Operated Vacuums

UAV/Drones, Material Handling

BMS/Storage, Home Automation

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