MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFS5H663NLT1G, VDSS 60 V, ID 67 A, Mejora, DFN de 5 pines

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Opciones de empaquetado:
Código RS:
185-9275
Nº ref. fabric.:
NVMFS5H663NLT1G
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

67A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

DFN

Serie

NVMFS5H663NL

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17nC

Disipación de potencia máxima Pd

63W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5.1mm

Altura

1.05mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: No cumple

COO (País de Origen):
MY
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

PPAP Capable

These Devices are Pb−Free

Enlaces relacionados