MOSFET, Tipo N-Canal Wolfspeed, VDSS 1200 V, ID 30 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 192-3523
- Nº ref. fabric.:
- C3M0075120D
- Fabricante:
- Wolfspeed
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- Código RS:
- 192-3523
- Nº ref. fabric.:
- C3M0075120D
- Fabricante:
- Wolfspeed
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Wolfspeed | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | C3M | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 75mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 54nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 113.6W | |
| Tensión directa Vf | 4.5V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 19 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 16.13mm | |
| Anchura | 5.21 mm | |
| Altura | 21.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Wolfspeed | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie C3M | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 75mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 54nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 113.6W | ||
Tensión directa Vf 4.5V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 19 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 16.13mm | ||
Anchura 5.21 mm | ||
Altura 21.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Wolfspeed extiende su liderazgo en tecnología SiC al introducir Advanced SiC MOSFET. Los diseñadores pueden reducir el recuento de componentes pasando de topologías basadas en silicio de tres niveles a topologías de dos niveles más sencillas posibles gracias al rendimiento de conmutación mejorado. Este dispositivo presenta una baja resistencia al encendido combinada con una baja carga de punto de inyección, lo que lo convierte en ideal para topologías PFC trifásicas sin puente, así como para aplicaciones de inversor y cargador. Descargue nuestros modelos LTspice para Get Started o haga clic aquí para solicitar más información.
Mínimo de 1200V Vbr en todo el rango de temperatura de funcionamiento
Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia de salida
Alta tensión de bloqueo con baja RDS (on)
Diodo intrínseco rápido con recuperación inversa baja (Qrr)
Fácil de usar en paralelo y de accionar
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