STMicroelectronics, N-Canal STL13N60M6, VDSS 600 V, ID 7 A, PowerFLAT (5 x 6) HV, Mejora de 8 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 192-4849
- Nº ref. fabric.:
- STL13N60M6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 192-4849
- Nº ref. fabric.:
- STL13N60M6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 600 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 7 A | |
| Encapsulado | PowerFLAT (5 x 6) HV | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 8 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión directa (Vf) | 1.6 V | |
| Altura | 950 μm | |
| Longitud | 6 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 415 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 52 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Anchura | 5 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 600 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 7 A | ||
Encapsulado PowerFLAT (5 x 6) HV | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 8 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión directa (Vf) 1.6 V | ||
Altura 950 μm | ||
Longitud 6 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 415 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 52 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Anchura 5 mm | ||
- COO (País de Origen):
- CN
The new MDmesh M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.
Reduced switching losses
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate input resistance
Zener-protected
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