MOSFET onsemi NCV51705MNTWG, Mejora, QFN de 24 pines
- Código RS:
- 195-2459
- Nº ref. fabric.:
- NCV51705MNTWG
- Fabricante:
- onsemi
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- 195-2459
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- NCV51705MNTWG
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- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Serie | NCV51705 | |
| Encapsulado | QFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 24 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.9W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.85mm | |
| Longitud | 4.1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Serie NCV51705 | ||
Encapsulado QFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 24 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.9W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.85mm | ||
Longitud 4.1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
El controlador NCV51705 está diseñado para accionar principalmente transistores MOSFET de SiC. Para lograr las pérdidas de conducción más bajas posibles, el controlador es capaz de proporcionar la tensión de puerta máxima permitida al dispositivo SiC MOSFET. Al proporcionar una corriente Peak alta durante el encendido y apagado de−−, también se minimizan las pérdidas de conmutación. Para mayor fiabilidad, inmunidad DV/dt e incluso desconexión faster−, el NCV51705 puede utilizar su bomba de carga integrada de− para generar un carril de tensión negativa seleccionable por el usuario. Para aplicaciones aisladas, el NCV51705 también proporciona un carril de 5 V de acceso externo para alimentar el lado secundario de aisladores ópticos digitales o de alta velocidad.
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