MOSFET, N-Canal onsemi NVMYS011N04CTWG, VDSS 40 V, ID 35 A, Mejora, LFPAK de 4 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
195-2548
Nº ref. fabric.:
NVMYS011N04CTWG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

35A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

NVMYS011N04C

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

28W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.9nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Altura

1.15mm

Anchura

4.25mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado DPAK diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Capacidad MOSFET y PPAP adecuada para aplicaciones de automoción que requieren mayor fiabilidad de nivel de placa.

Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto

Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción

Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador

Encapsulado Lfpak4, Estándar Del Sector

Capacidad PPAP

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