MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMYS011N04CTWG, VDSS 40 V, ID 35 A, Mejora, LFPAK de 4 pines

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Código RS:
195-2548
Nº ref. fabric.:
NVMYS011N04CTWG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

35A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

LFPAK

Serie

NVMYS011N04C

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.9nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

28W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.15mm

Anchura

4.25 mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado DPAK diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Capacidad MOSFET y PPAP adecuada para aplicaciones de automoción que requieren mayor fiabilidad de nivel de placa.

Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto

Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción

Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador

Encapsulado Lfpak4, Estándar Del Sector

Capacidad PPAP

Estos dispositivos no contienen plomo

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