MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMYS025N06CLTWG, VDSS 60 V, ID 21 A, Mejora, LFPAK de 4 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 50 unidades)*

36,55 €

(exc. IVA)

44,25 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 29 de julio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
50 - 4500,731 €36,55 €
500 - 9500,63 €31,50 €
1000 +0,546 €27,30 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
195-2552
Nº ref. fabric.:
NVMYS025N06CLTWG
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

21A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

NVMYS025N06CL

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

43mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

24W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.8nC

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.25 mm

Longitud

5mm

Altura

1.15mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado DPAK diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Capacidad MOSFET y PPAP adecuada para aplicaciones de automoción que requieren mayor fiabilidad de nivel de placa.

Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto

Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción

Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador

Encapsulado Lfpak4, Estándar Del Sector

Capacidad PPAP

Estos dispositivos no contienen plomo

Enlaces relacionados