MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 57.8 A, Mejora, WDFN de 8 pines

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Código RS:
195-2553
Nº ref. fabric.:
NVTFS010N10MCLTAG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

57.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

WDFN

Serie

NVTFS010N10MCL

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Disipación de potencia máxima Pd

77.8W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

3.15 mm

Longitud

3.3mm

Altura

0.75mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 3 x 3 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flanco sumergible disponible para inspección óptica mejorada. MOSFET y capacidad PPAP ideal para aplicaciones de automoción.

Tamaño pequeño (3x3 mm)

Diseño compacto

Baja resistencia

Minimiza las pérdidas de conducción

Baja capacitancia

Minimiza las pérdidas de controlador

Capacidad PPAP

Adecuada para aplicaciones de automoción

Aplicación

Protección de batería inversa

Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).

Fuentes de alimentación de conmutación

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