MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 650 V, ID 4.3 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 200-6807
- Nº ref. fabric.:
- SiHA690N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 25 unidades)*
37,70 €
(exc. IVA)
45,625 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 25 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 1,508 € | 37,70 € |
| 125 - 225 | 1,463 € | 36,58 € |
| 250 - 600 | 1,417 € | 35,43 € |
| 625 - 1225 | 1,367 € | 34,18 € |
| 1250 + | 1,332 € | 33,30 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 200-6807
- Nº ref. fabric.:
- SiHA690N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | E | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 700mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 29W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 13.8mm | |
| Anchura | 4.7 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie E | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 700mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 29W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 13.8mm | ||
Anchura 4.7 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Vishay SiHA690N60E-GE3 es un MOSFET de alimentación de la serie E.
Tecnología de la serie E de 4th generación
Figura de mérito baja
Baja capacitancia efectiva
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Valor nominal de energía de avalancha (UIS)
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines