MOSFET, N-Canal Vishay SiHA690N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 4.3 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
200-6807
Nº ref. fabric.:
SiHA690N60E-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

E

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

700mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Disipación de potencia máxima Pd

29W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

13.8mm

Anchura

4.7mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.3mm

Estándar de automoción

No

El Vishay SiHA690N60E-GE3 es un MOSFET de alimentación de la serie E.

Tecnología de la serie E de 4th generación

Figura de mérito baja

Baja capacitancia efectiva

Menores pérdidas por conmutación y conducción

Valor nominal de energía de avalancha (UIS)

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