MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 350 A, Mejora, SO-8 de 4 pines
- Código RS:
- 200-6823
- Nº ref. fabric.:
- SQJA36EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 25 unidades)*
42,00 €
(exc. IVA)
50,75 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 15 de marzo de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 1,68 € | 42,00 € |
| 50 - 100 | 1,428 € | 35,70 € |
| 125 - 225 | 1,294 € | 32,35 € |
| 250 - 600 | 1,041 € | 26,03 € |
| 625 + | 0,974 € | 24,35 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 200-6823
- Nº ref. fabric.:
- SQJA36EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 350A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | SQJA36EP | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.24mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 107nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 4.2mm | |
| Altura | 6.25mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 350A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie SQJA36EP | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.24mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 107nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 4.2mm | ||
Altura 6.25mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Vishay SQJA36EP-T1_GE3 es un MOSFET de canal N de automoción 40V (D-S) de 175 °C.
MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV
Certificación AEC-Q101
100 % RG y prueba UIS
La relación Qgd/QGS< 1 optimiza la conmutación
características
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SO-8 de 4 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SO-8 de 4 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SO-8 de 4 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SO-8 de 4 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SO-8 de 4 pines