MOSFET, N-Canal Vishay SQJ140EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 266 A, Mejora, SO-8 de 4 pines
- Código RS:
- 210-5031
- Nº ref. fabric.:
- SQJ140EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 210-5031
- Nº ref. fabric.:
- SQJ140EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 266A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | SQJ140EP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 88W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 49.2nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.25mm | |
| Anchura | 5.26mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.12mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 266A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie SQJ140EP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 88W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 49.2nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.25mm | ||
Anchura 5.26mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.12mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Vishay Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C tiene un encapsulado POWERPAK SO-8L con una corriente de drenaje de
MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV
Certificación AEC-Q101
100 % RG y prueba UIS
La relación Qgd/QGS < 1 optimiza las características de conmutación
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