MOSFET, N-Canal Vishay SQJ152ELP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 123 A, Mejora, SO-8 de 4 pines

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Código RS:
210-5046
Nº ref. fabric.:
SQJ152ELP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

123A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SO-8

Serie

SQJ152ELP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

136W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.1mm

Anchura

6.25mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

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