MOSFET sencillos, Doble N-Canal Vishay SQJ738EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 123 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines

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Código RS:
653-066
Nº ref. fabric.:
SQJ738EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Doble N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

123A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

SQJ738EP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00317Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

93W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

5.09 mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal N doble de grado de automoción Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en entornos exigentes. Admite tensión de fuente de drenaje de hasta 40 V y funciona de manera fiable a temperaturas de unión de hasta 175 °C. Envasado en PowerPAK SO-8L, utiliza la tecnología TrenchFET Gen IV para mejorar el rendimiento térmico y eléctrico.

Con cualificación AEC Q101

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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