MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQJ131ELP-T1_GE3, VDSS -30 V, ID -300 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines

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Código RS:
653-168
Nº ref. fabric.:
SQJ131ELP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

-300A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-30V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

SQJ131ELP

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0030Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

207nC

Tensión directa Vf

-1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

500W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.9 mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal P de grado de automoción Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en entornos compactos y térmicamente exigentes. Admite hasta 30 V de tensión de fuente de drenaje a 175 °C, lo que lo convierte en ideal para sistemas de alimentación de automoción robustos. Envasado en PowerPAK SO-8L, utiliza la tecnología TrenchFET para un RDS(on) ultrabajo y un rendimiento térmico optimizado.

Con cualificación AEC Q101

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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