MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQS201CENW-T1_GE3, VDSS 100 V, ID -16 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
653-188
Nº ref. fabric.:
SQS201CENW-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-16A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

SQS201CENW

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0800Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

26nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

62.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

3.30mm

Anchura

3.30 mm

Altura

0.41mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal P de grado de automoción Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en entornos exigentes. Admite hasta 100 V de tensión de fuente de drenaje y funciona de manera fiable a temperaturas de unión de hasta 175 °C. Envasado en PowerPAK 1212-8W, utiliza la tecnología TrenchFET para un rendimiento eléctrico y térmico optimizado.

Con cualificación AEC Q101

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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