MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQJ443AEP-T1_GE3, VDSS -40 V, ID 24 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines

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Código RS:
653-063
Nº ref. fabric.:
SQJ443AEP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

24A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-40V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

SQJ443

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.025Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

70nC

Disipación de potencia máxima Pd

27W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal P de grado de automoción de Vishay está diseñado para una conmutación eficiente en entornos sensibles a la potencia. Admite tensión de fuente de drenaje de hasta 40 V y funciona de manera fiable a temperaturas de unión de hasta 175 °C. Construido con tecnología TrenchFET, se suministra en un encapsulado compacto PowerPAK SO-8L para un rendimiento térmico y eléctrico optimizado.

Con cualificación AEC Q101

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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