MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay, VDSS -40 V, ID 24 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- Código RS:
- 653-065
- Nº ref. fabric.:
- SQJ443AEP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tira de 1 unidad)*
0,53 €
(exc. IVA)
0,64 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2990 unidad(es) más para enviar a partir del 19 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Tira(s) | Por Tira |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,53 € |
| 25 - 99 | 0,52 € |
| 100 - 499 | 0,50 € |
| 500 - 999 | 0,43 € |
| 1000 + | 0,41 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 653-065
- Nº ref. fabric.:
- SQJ443AEP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -40V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Serie | SQJ443 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.025Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 70nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 27W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -40V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Serie SQJ443 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.025Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 70nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 27W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de canal P de grado de automoción de Vishay está diseñado para una conmutación eficiente en entornos sensibles a la potencia. Admite tensión de fuente de drenaje de hasta 40 V y funciona de manera fiable a temperaturas de unión de hasta 175 °C. Construido con tecnología TrenchFET, se suministra en un encapsulado compacto PowerPAK SO-8L para un rendimiento térmico y eléctrico optimizado.
Con cualificación AEC Q101
Sin Pb
Sin halógenos
Cumplimiento de RoHS
Enlaces relacionados
- MOSFET sencillos VDSS -40 V Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos VDSS -40 V Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos VDSS -40 V Mejora, PowerPAK de 6 pines
- MOSFET sencillos VDSS -40 V Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos VDSS -40 V Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos VDSS -40 V Mejora, PowerPAK de 6 pines
- MOSFET sencillos VDSS 60 V Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos VDSS -30 V Mejora, PowerPAK de 4 pines
