MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SQJQ142ER-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 345 A, Mejora, PowerPAK de 3 pines

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Código RS:
653-073
Nº ref. fabric.:
SQJQ142ER-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

345A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

SQJQ14

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00124Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

277W

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

92nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Anchura

8mm

Altura

1.6mm

Longitud

10.42mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal N de grado de automoción Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alimentación compactos. Admite tensión de fuente de drenaje de hasta 40 V y funciona de manera fiable a temperaturas de unión de hasta 175 °C. En un encapsulado PowerPAK 8x8LR, utiliza la tecnología TrenchFET Gen IV para mejorar el rendimiento térmico y eléctrico.

Con cualificación AEC Q101

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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