MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SQJQ142ER-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 345 A, Mejora, PowerPAK de 3 pines

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Código RS:
653-073
Nº ref. fabric.:
SQJQ142ER-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

345A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

SQJQ14

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00124Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

92nC

Disipación de potencia máxima Pd

277W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Anchura

8 mm

Altura

1.6mm

Longitud

10.42mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal N de grado de automoción Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alimentación compactos. Admite tensión de fuente de drenaje de hasta 40 V y funciona de manera fiable a temperaturas de unión de hasta 175 °C. En un encapsulado PowerPAK 8x8LR, utiliza la tecnología TrenchFET Gen IV para mejorar el rendimiento térmico y eléctrico.

Con cualificación AEC Q101

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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