MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SQJQ114EL-T1_GE3, VDSS 100 V, ID 136 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

4.452,00 €

(exc. IVA)

5.388,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponibilidad de stock no accesible
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +1,484 €4.452,00 €

*precio indicativo

Código RS:
653-071
Nº ref. fabric.:
SQJQ114EL-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

136A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

SQJQ114EL

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0055Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

277W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

158nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

8mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Anchura

8 mm

Altura

1.9mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal N de grado de automoción Vishay está optimizado para conmutación de potencia de alta eficiencia en entornos hostiles. Admite hasta 100 V de tensión de fuente de drenaje y funciona de manera fiable a temperaturas de unión de hasta 175 °C. Envuelto en un encapsulado PowerPAK 8x8L, aprovecha la tecnología TrenchFET Gen IV para un rendimiento térmico y eléctrico superior.

Con cualificación AEC Q101

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

Enlaces relacionados