MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 136 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines

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Código RS:
653-072
Nº ref. fabric.:
SQJQ114EL-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

136A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

SQJQ114EL

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0055Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

158nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

277W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.9mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Anchura

8 mm

Longitud

8mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal N de grado de automoción Vishay está optimizado para conmutación de potencia de alta eficiencia en entornos hostiles. Admite hasta 100 V de tensión de fuente de drenaje y funciona de manera fiable a temperaturas de unión de hasta 175 °C. Envuelto en un encapsulado PowerPAK 8x8L, aprovecha la tecnología TrenchFET Gen IV para un rendimiento térmico y eléctrico superior.

Con cualificación AEC Q101

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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