MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 6 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tira de 1 unidad)*

0,31 €

(exc. IVA)

0,38 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 2685 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Tira(s)
Por Tira
1 - 240,31 €
25 - 990,28 €
100 - 4990,25 €
500 - 9990,22 €
1000 +0,19 €

*precio indicativo

Código RS:
653-116
Nº ref. fabric.:
SQ2310CES-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SQ2310CES

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.03Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±8 V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.12mm

Longitud

3.04mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Anchura

2.64 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de canal N Vishay Compact de grado de automoción está diseñado para aplicaciones de conmutación de baja tensión. Con una tensión nominal de fuente de drenaje de 20 V y una temperatura de unión máxima de 175 °C, es ideal para entornos con espacio limitado y exigentes desde el punto de vista térmico. Se suministra en un encapsulado SOT-23 y aprovecha la tecnología TrenchFET para un rendimiento eficiente.

Con cualificación AEC Q101

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

Enlaces relacionados