MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SQ2310CES-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 6 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
653-114
Nº ref. fabric.:
SQ2310CES-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

SQ2310CES

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.03Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±8 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

3.04mm

Altura

1.12mm

Anchura

2.64 mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de canal N Vishay Compact de grado de automoción está diseñado para aplicaciones de conmutación de baja tensión. Con una tensión nominal de fuente de drenaje de 20 V y una temperatura de unión máxima de 175 °C, es ideal para entornos con espacio limitado y exigentes desde el punto de vista térmico. Se suministra en un encapsulado SOT-23 y aprovecha la tecnología TrenchFET para un rendimiento eficiente.

Con cualificación AEC Q101

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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