MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SQJ190ELP-T1_GE3, VDSS 100 V, ID 19.6 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines

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Código RS:
653-119
Nº ref. fabric.:
SQJ190ELP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

19.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

SQJ190

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.058Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

45W

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

21nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Longitud

5.13mm

Anchura

6.22mm

Altura

1.07mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de canal N de grado de automoción de Vishay está diseñado para una conmutación de alta eficiencia en entornos de alta densidad de potencia. Admite hasta 100 V de tensión de fuente de drenaje y funciona de manera fiable a temperaturas de unión de hasta 175 °C. Envasado en PowerPAK SO-8L, utiliza la tecnología TrenchFET para un rendimiento térmico y eléctrico optimizado.

Con cualificación AEC Q101

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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