MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SQJ190ELP-T1_GE3, VDSS 100 V, ID 19.6 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines

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Código RS:
653-119
Nº ref. fabric.:
SQJ190ELP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

19.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

SQJ190

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.058Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

45W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

21nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.07mm

Longitud

5.13mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Anchura

6.22 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de canal N de grado de automoción de Vishay está diseñado para una conmutación de alta eficiencia en entornos de alta densidad de potencia. Admite hasta 100 V de tensión de fuente de drenaje y funciona de manera fiable a temperaturas de unión de hasta 175 °C. Envasado en PowerPAK SO-8L, utiliza la tecnología TrenchFET para un rendimiento térmico y eléctrico optimizado.

Con cualificación AEC Q101

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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