MOSFET, N-Canal Vishay SQJA38EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 60 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
188-5120
Nº ref. fabric.:
SQJA38EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SO-8

Serie

SQJA38EP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

48.2nC

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.01mm

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.47mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Automotriz N-Canal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET.

MOSFET de potencia TrenchFET®

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