MOSFET Vishay SQJA38EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 60 A, PowerPAK SO-8L de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 188-5120
Nº ref. fabric.:: SQJA38EP-T1_GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SQJA38EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 60 A, PowerPAK SO-8L de 8 pines, , config. Simple

1 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

0,844 €

(exc. IVA)

1,021 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 90	0,844 €	8,44 €
100 - 240	0,793 €	7,93 €
250 - 490	0,676 €	6,76 €
500 - 990	0,633 €	6,33 €
1000 +	0,592 €	5,92 €

*precio indicativo

Código RS:: 188-5120
Nº ref. fabric.:: SQJA38EP-T1_GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Datasheet SQJA38EP-T1_GE3

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Automotriz N-Canal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET.

MOSFET de potencia TrenchFET®

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Tipo de Encapsulado	PowerPAK SO-8L
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	6,7 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.4V
Disipación de Potencia Máxima	68 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±20 V
Longitud	5mm
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	4.47mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	48,2 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Altura	1.01mm
Estándar de automoción	AEC-Q101
Tensión de diodo directa	1.2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Vishay SQJA38EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 60 A, PowerPAK SO-8L de 8 pines, , config. Simple

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Especificaciones

Enlaces relacionados