MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJA38EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 60 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 188-5120
- Nº ref. fabric.:
- SQJA38EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 188-5120
- Nº ref. fabric.:
- SQJA38EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | SQJA38EP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 48.2nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 68W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.47 mm | |
| Altura | 1.01mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie SQJA38EP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 48.2nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 68W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.47 mm | ||
Altura 1.01mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Automotriz N-Canal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET.
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