MOSFET, Canal N-Canal Vishay SQRS160EP-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 373 A, Mejora, SO-8SW de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 unidad)*

3,11 €

(exc. IVA)

3,76 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 11 de marzo de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 +3,11 €

*precio indicativo

Código RS:
735-238
Nº ref. fabric.:
SQRS160EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

373A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SO-8SW

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.002Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

130nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

270W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
DE

Enlaces relacionados