MOSFET, Canal N-Canal Vishay SQRS160EP-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 373 A, Mejora, SO-8SW de 8 pines

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Código RS:
735-238
Nº ref. fabric.:
SQRS160EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

373A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SO-8SW

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.002Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

130nC

Disipación de potencia máxima Pd

270W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Anchura

5 mm

Longitud

6mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
DE

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