MOSFET, Canal N-Canal Vishay SQJ742EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 99 A, Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines

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Código RS:
735-278
Nº ref. fabric.:
SQJ742EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

99A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK SO-8L

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.009Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

28nC

Disipación de potencia máxima Pd

88W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.15mm

Anchura

4.9 mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

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