MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJ182EP-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 210 A, PowerPAK SO-8L de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
239-5409
Nº ref. fabric.:
SQJ182EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

210A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

PowerPAK SO-8L

Serie

SQJ

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.005Ω

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

64nC

Disipación de potencia máxima Pd

395W

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.9 mm

Longitud

6.15mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101, RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de canal N de Vishay tiene una corriente de drenaje de 210 A.

Calificación AEC-Q101

Probado al 100 % Rg y UIS

Ratio Qgd/Qgs < 1 optimiza las características de conmutación

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