MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJ186EP-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 410 A, Reducción, PowerPAK SO-8L de 4 pines

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Código RS:
239-8671
Nº ref. fabric.:
SQJ186EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

410A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK SO-8L

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.02Ω

Modo de canal

Reducción

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

43nC

Disipación de potencia máxima Pd

255W

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.15mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El Vishay SIDR es un MOSFET de canal N de automoción que funciona a 80 V y 175 °C de temperatura. Este MOSFET se utiliza para alta densidad de potencia.

Calificación AEC-Q101

Probado conforme a UIS

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