MOSFET, Canal P-Canal Vishay SQJ181ELP-T1_GE3, VDSS -80 V, ID -128 A, Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

1,90 €

(exc. IVA)

2,30 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es)
Por unidad
1 - 91,90 €
10 - 241,24 €
25 - 990,65 €
100 - 4990,64 €
500 +0,61 €

*precio indicativo

Código RS:
735-269
Nº ref. fabric.:
SQJ181ELP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-128A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-80V

Encapsulado

PowerPAK SO-8L

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0283Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

468W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

59nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.9 mm

Longitud

6.15mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

Enlaces relacionados