MOSFET, Canal P-Canal Vishay SQJ181ELP-T1_GE3, VDSS -80 V, ID -128 A, Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines

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Código RS:
735-269
Nº ref. fabric.:
SQJ181ELP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-128A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-80V

Encapsulado

PowerPAK SO-8L

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0283Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

59nC

Disipación de potencia máxima Pd

468W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Longitud

6.15mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

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