MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJ186ELP-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 66 A, Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- Código RS:
- 268-8366
- Nº ref. fabric.:
- SQJ186ELP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
8,56 €
(exc. IVA)
10,36 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 3000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,856 € | 8,56 € |
| 50 - 90 | 0,838 € | 8,38 € |
| 100 - 240 | 0,666 € | 6,66 € |
| 250 - 990 | 0,653 € | 6,53 € |
| 1000 + | 0,436 € | 4,36 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 268-8366
- Nº ref. fabric.:
- SQJ186ELP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 66A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8L | |
| Serie | SQJ | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.032Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 45nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 135W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 66A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8L | ||
Serie SQJ | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.032Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 45nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 135W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 4.9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de generación 4 de canal N TrenchFET de automoción de Vishay es un dispositivo sin plomo y sin halógenos. Se trata de un dispositivo de configuración simple que es independiente de la temperatura de funcionamiento.
Certificación AEC Q101
Conforme con ROHS
Probado por UIS al 100 por ciento
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET VDSS -80 V Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
