MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJ186ELP-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 66 A, Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

1.077,00 €

(exc. IVA)

1.302,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 3000 unidad(es) más para enviar a partir del 10 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,359 €1.077,00 €

*precio indicativo

Código RS:
268-8364
Nº ref. fabric.:
SQJ186ELP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

66A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

SQJ

Encapsulado

PowerPAK SO-8L

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.032Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

135W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

4.9mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de generación 4 de canal N TrenchFET de automoción de Vishay es un dispositivo sin plomo y sin halógenos. Se trata de un dispositivo de configuración simple que es independiente de la temperatura de funcionamiento.

Certificación AEC Q101

Conforme con ROHS

Probado por UIS al 100 por ciento

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.