MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIRS4600EPW-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 373 A, Mejora, SO-8SW de 8 pines

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Código RS:
735-219
Nº ref. fabric.:
SIRS4600EPW-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

373A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SO-8SW

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0013Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

108nC

Disipación de potencia máxima Pd

333W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.95mm

Longitud

6.1mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Anchura

5.1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

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