MOSFET, Canal N-Canal Vishay SQRS140EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 467 A, Mejora, SO-8SW de 8 pines
- Código RS:
- 735-247
- Nº ref. fabric.:
- SQRS140EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
2,78 €
(exc. IVA)
3,36 €
(inc.IVA)
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,78 € |
| 10 - 24 | 1,81 € |
| 25 - 99 | 0,95 € |
| 100 - 499 | 0,92 € |
| 500 + | 0,90 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 735-247
- Nº ref. fabric.:
- SQRS140EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 467A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SO-8SW | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0012Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 270W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 148nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Anchura | 5 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 467A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SO-8SW | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0012Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 270W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 148nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Anchura 5 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- DE
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SO-8SW de 8 pines
- MOSFET Vishay VDSS 40 V SO-8SW 2
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SO-8SW de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET VDSS -80 V Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SO-8 de 8 pines