MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJA78EP-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 72 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 188-5157
- Nº ref. fabric.:
- SQJA78EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
10,86 €
(exc. IVA)
13,14 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 24 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,172 € | 10,86 € |
| 50 - 120 | 1,846 € | 9,23 € |
| 125 - 245 | 1,632 € | 8,16 € |
| 250 - 495 | 1,414 € | 7,07 € |
| 500 + | 1,304 € | 6,52 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 188-5157
- Nº ref. fabric.:
- SQJA78EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 72A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | SQJA78EP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 12mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 68W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 62nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.01mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5mm | |
| Anchura | 4.47 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 72A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie SQJA78EP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 68W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 62nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.01mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5mm | ||
Anchura 4.47 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Automóvil N-Canal 80 V (D-S) 175 °C MOSFET.
MOSFET de potencia TrenchFET®
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SO-8 de 4 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SO-8 de 8 pines